L’iPhone 15 A17 pourrait être 35 % plus efficace grâce au nouveau procédé de fabrication 3 nm de TSMC
La société taïwanaise TSMC se prépare à produire en masse des puces avec un processus de fabrication de 3 nm. C’est la société qui fabrique les puces pour les SoC qu’Apple utilise dans l’iPhone, l’iPad ou les Mac, on pourrait donc dire qu’avec suffisamment de certitude, la prochaine génération d’iPhone pourrait avoir l’un des intégrés fabriqués avec ce processus de fabrication donc court. Mais qu’est-ce que cela signifie pour l’utilisateur ?
La principale différence est que vous pouvez continuer à augmenter le nombre de transistors, qui s’élève actuellement à 16 milliards dans l’A16, sans augmenter la taille physique, ou peut-être pouvez-vous réduire la taille de la puce et cela fonctionnera. énergie. Concrètement, le saut à 3 nm permet d’économiser 35 % d’énergie par rapport à la même puce fabriquée en 5 nm.
Si l’iPhone 15 dispose bien d’un hypothétique A17 fabriqué avec un procédé de 3 nm, on pourrait voir son autonomie augmenter de plus d’un tiers, soit environ une demi-journée. Cela pourrait donner aux modèles d’iPhone plus grands jusqu’à près d’un jour plus d’autonomie, ce qui est vraiment bien.
Dans le cas de versions hypothétiques du M2 Pro ou du M2 Max qu’Apple n’a pas encore introduites, les améliorations énergétiques seraient également de 35 %, ce qui donnerait aux iPad et aux Mac un bon coup de pouce à la durée de vie de la batterie et réduirait la durée de vie de la puce. doit réduire sa vitesse d’horloge pour chauffer moins lorsqu’il fonctionne à des performances maximales. Surtout sur les ordinateurs sans refroidissement actif (ventilateur), comme le MacBook Air, le résultat pourrait être assez spectaculaire. C’est pour cette raison que le saut à 3 nm est si important.
L’A16 utilisé par l’iPhone 14 utilise actuellement un processus de fabrication de 4 nm, c’est pourquoi des terminaux comme l’iPhone 14 Plus ont la meilleure autonomie par rapport à tous les modèles d’iPhone qu’Apple a sortis à ce jour.
